GaN Based RED Epi wafer

  • Substrate : Patterned Sapphire 다양한 기판 사용 가능함
    (sapphire, Si, SiC and GaN).
  • Wafer Size : 2 inch, 4 inch, 6 inch Normal Size : 4 inch
  • Wavelength : 620~670 nm 고객요청에 따라 파장 조정 가능

Wall Plug Efficiency over 1%

** 최근에 우리는 WPE 2%. 달성하였습니다. 새로운 data는 곧 update 할 것입니다.

# Characteristic Curves

L-I-V Measurement @ room temp, Integrating sphere
LED chip size: 650㎛ x 650 ㎛ flip chip
Leakage current: 10~20 ㎂ @-5V